2N65 TO252
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.8Ω @ 3.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道
2N65 TO252的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）2A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻3.8Ω @ 3.1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）60W(Tc)
类型N沟道
2N65 TO252
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| 2N65 TO252 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.8Ω @ 3.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道 | VBsemi(台湾微碧) |  | 935.39 Kbytes | 共9页 |  | 无 |
2N65 TO252的全球分销商及价格
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立创商城 | 2N65 TO252 | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.8Ω @ 3.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥0.9261
10+:￥0.6843
30+:￥0.6399
100+:￥0.5955
500+:￥0.5758
1000+:￥0.566
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